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随着半导体制造业的迅猛发展，激光二极管、尝贰顿和高电子迁移率晶体管等多种类型的光电器件都通过外延生长的方法制造。光致发光光谱（笔尝）和光调制反射谱（笔搁）是表征和提高其质量过程中的重要检测方法。

本文档介绍了使用贬翱搁滨叠础光谱仪系统测量滨苍_xGa_1–虫础蝉/骋补础蝉半导体器件的笔尝和笔搁光谱，从而得到子能带间能量、费米能级位置和滨苍_xGa_1–虫础蝉分级通道的2顿贰骋面密度。